Эта публикация цитируется в 4 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Поляризационные зависимости электролюминесценции и поглощения вертикально-коррелированных InAs/GaAs-квантовых точек

М. М. Соболев, И. М. Гаджиев, И. О. Бакшаев, В. Н. Неведомский, М. С. Буяло, Ю. М. Задиранов, Р. В. Золотарева, Е. Л. Портной

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований оптической поляризационной анизотропии спектров электролюминесценции и поглощения систем с различным числом туннельно-связанных вертикально-коррелированных квантовых точек In(Ga)As/GaAs, встроенных в двухсекционный лазер с секциями одинаковой длины. Одной из этих систем являлась сверхрешетка квантовых точек, проявляющая эффект Ваннье–Штарка. Был обнаружен эффект вовлечения основных состояний тяжелых дырок в оптические переходы света, поляризованного как в плоскости перпендикулярной оси роста ($X$–$Y$), так и вдоль направления роста структуры $Z$. Степень поляризационной анизотропии находится в зависимости от высоты вертикально-коррелированных квантовых точек и сверхрешетки квантовых точек: суммарной толщины всех слоев In(Ga)As квантовых точек и прослойки GaAs между квантовыми точками, которая связывается с $Z$-компонентой волновой функции основных состояний тяжелых дырок для вертикально-коррелированных точек и сверхрешетки квантовых точек.

Поступила в редакцию: 27.06.2011
Принята в печать: 11.07.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:1, 93–98

Реферативные базы данных:

•