Эта публикация цитируется в 8 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Изменение электронных свойств поверхности InAs(111)A при адсорбции кислорода и фтора

С. В. Еремеев^ab, Н. А. Валишева^c, О. Е. Терещенко^cd, С. Е. Кулькова<sup>ab

a</sup> Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, г. Томск
^b Томский государственный университет
^c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^d Новосибирский государственный университет

Аннотация: На основе расчетов из первых принципов изучена адсорбция кислорода и фтора на реконструированной (2 $\times$ 2) и нереконструированной (1 $\times$ 1) поверхностях InAs(111)A. Определены наиболее стабильные позиции адсорбции. Показано, что адсорбция кислорода на обеих поверхностях индуцирует появление состояний в запрещенной зоне. На поверхности InAs(111)A-(2 $\times$ 2) кислород предпочитает позиции, где он связан как с атомами индия, так и с атомами мышьяка поверхностного слоя, а также ямочную позицию между тремя атомами индия (In-hollow). Адсорбция фтора приводит к выталкиванию поверхностных состояний из запрещенной зоны, при этом фтор предпочитает вершинную позицию над атомами индия (In-top). На поверхности InAs(111)A-(1 $\times$ 1) адсорбция фтора приводит к устранению поверхностного состояния, образованного $p$-орбиталями индия, и откреплению уровня Ферми.

Поступила в редакцию: 05.07.2011
Принята в печать: 31.07.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:1, 49–55

Реферативные базы данных:

•