RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 1, страницы 48–52 (Mi phts8121)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Лазерно-стимулированная десорбция атомных и молекулярных фрагментов с поверхности диоксида олова, модифицированной тонким органическим покрытием фталоцианина меди

А. С. Комолов, С. А. Комолов, Э. Ф. Лазнева, А. М. Туриев

Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет

Аннотация: Исследованы закономерности лазерно-стимулированной десорбции с поверхности SnO$_2$ при воздействии 10-нс импульсного излучения неодимового лазера при энергии кванта 2.34 эВ в диапазоне плотности энергий в импульсе от 1 до 50 мДж/см$^2$. По достижении порогового значения энергии в импульсе 28 мДж/см$^2$ в масс-спектрах десорбции с поверхности SnO$_2$ обнаружено присутствие молекулярного кислорода O$_2$, а по достижении порогового значения энергии в импульсе 42 мДж/см$^2$ наблюдается десорбция олова Sn и частиц SnO и (SnO)$_2$. Измерены масс-спектры лазерной десорбции с поверхности SnO$_2$, покрытой органической пленкой фталоцианина меди (CuPc) толщиной 50 нм. Показано, что лазерное воздействие вызывает фрагментацию молекул CuPc и десорбцию молекулярных фрагментов в диапазоне плотности энергий лазерного импульса от 6 до 10 мДж/см$^2$. Наряду с десорбцией молекулярных фрагментов, в этом же энергетическом диапазоне наблюдается слабый десорбционный сигнал компонент подложки O$_2$, Sn, SnO и (SnO)$_2$. Энергетические пороги десорбции атомных компонент подложки с поверхности органической пленки примерно в 5 раз ниже порогов их десорбции с атомно-чистой поверхности SnO$_2$, что свидетельствует о диффузии атомных компонент SnO$_2$ подложки в объем осаждаемой органической пленки.

Поступила в редакцию: 17.05.2011
Принята в печать: 26.05.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:1, 45–48

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026