RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 1, страницы 44–47 (Mi phts8120)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Концентрационная зависимость ширины запрещенной зоны твердых растворов Mn$_x$Fe$_{1-x}$In$_2$S$_4$

И. В. Боднарь

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220013 Минск, Белоруссия

Аннотация: На кристаллах тройных соединений MnIn$_2$S$_4$, FeIn$_2$S$_4$ и твердых растворов Mn$_x$Fe$_{1-x}$In$_2$S$_4$, выращенных направленной кристаллизацией расплава, исследованы спектры пропускания в области края собственного поглощения. По зарегистрированным спектрам определена ширина запрещенной зоны указанных соединений и их твердых растворов, а также построена ее концентрационная зависимость. Установлено, что ширина запрещенной зоны с составом x изменяется нелинейно и описывается квадратичной зависимостью.

Поступила в редакцию: 02.06.2011
Принята в печать: 15.06.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:1, 41–44

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026