RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 1, страницы 38–43 (Mi phts8119)

Эта публикация цитируется в 15 статьях

Электронные свойства полупроводников

Термо- и фотопроводимость кристаллов CuI $p$-типа проводимости

А. Н. Грузинцев, В. Н. Загороднев

Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия

Аннотация: Исследовано влияние отжига в вакууме кристаллов иодида меди ($p$-типа проводимости) на их электрическое сопротивление, прозрачность, термо- и фотопроводимость в видимой и фиолетовой областях спектра. Показано, что проводимость и прозрачность CuI увеличиваются при низких температурах отжига и уменьшаются с ростом температуры отжига в вакууме в течение 60 мин. Установлена связь данных процессов с образованием собственных дефектов донорного или акцепторного типа в кристаллической решетке иодида меди.

Поступила в редакцию: 15.06.2011
Принята в печать: 20.06.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:1, 35–40

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026