Эта публикация цитируется в 1 статье

Электронные свойства полупроводников

Излучательная рекомбинация горячих носителей в узкозонных полупроводниках

Н. В. Павлов, Г. Г. Зегря

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследован механизм излучательной рекомбинации горячих носителей зярада в узкозонных полупроводниках на примере антимонида индия. Показано, что при высоких уровнях возбуждения СНСС-процесс оже-рекомбинации может привести к существенному разогреву носителей заряда. Найдены функция распределения горячих носителей и их концентрация. В рамках модели Кейна выполнен расчет скорости излучательной рекомбинации горячих носителей заряда, а также коэффициента усиления излучения. Показано, что при больших концентрациях носителей излучательная рекомбинация горячих электронов будет вносить существенный вклад в общую скорость излучательной рекомбинации.

Поступила в редакцию: 15.06.2011
Принята в печать: 17.06.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:1, 29–34

Реферативные базы данных:

•