Международная конференция ФизикА.СПб, 20-24 октября 2025 г., Санкт-Петербург

Спектральные и пространственные характеристики излучения торцевых лазерных диодов на основе квантовых ям InGaAs/GaAs со сверхшироким волноводом

А. А. Бекман^a, И. А. Мельниченко^bc, Ю. М. Шерняков^a, Г. О. Корнышов^a, Н. Ю. Гордеев^a, А. С. Паюсов^a, О. И. Симчук^b, Ю. С. Ткач^b, М. В. Максимов<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^c Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", 190008 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: В зависимости от тока накачки и температуры исследованы спектры лазерного излучения, а также диаграммы направленности и распределения интенсивности излучения в ближнем поле InGaAs/GaAs/AlGaAs торцевых лазерных диодов на квантовых ямах со сверхшироким волноводом. Показано, что лазерная генерация на основном состоянии квантово-размерной активной области происходит на моде 2-го порядка, а на возбужденном состоянии – на фундаментальной моде.

Ключевые слова: полупроводниковые лазерные диоды, моды вертикального волновода, фундаментальная мода, мощные лазерные диоды.

Поступила в редакцию: 28.04.2025
Исправленный вариант: 16.07.2025
Принята в печать: 23.07.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.05.61480.8224