Международная конференция ФизикА.СПб, 20-24 октября 2025 г., Санкт-Петербург

Дислокационная структура индентированных объемных кристаллов AlN

О. Ф. Вывенко^a, О. А. Гогина^ab, Ю. В. Петров^ab, Е. В. Убыйвовк^ab, Т. С. Аргунова^b, С. С. Нагалюк<sup>b

a</sup> Санкт-Петербургский государственный университет, 199034 Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Приведены результаты катодолюминесцентных исследований дефектной структуры, созданной индентированием базисной и призматической поверхности малодислокационных объемных кристаллов нитрида алюминия, а также нитрида галлия. Впервые установлено, что дислокационная структура в приповерхностной области вблизи отпечатка индентора в AlN качественно отличается от хорошо известной для других полупроводников со структурой вюрцита и хорошо объяснимой моделью Пайерлса. Сделано заключение о неприменимости этой модели для характеризации динамики дислокаций в AlN и необходимости разработки для этого новых теоретических подходов.

Ключевые слова: нитрид алюминия, дислокации, катодолюминесценция.

Поступила в редакцию: 05.05.2025
Исправленный вариант: 28.07.2025
Принята в печать: 28.07.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.05.61479.8095