RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2025, том 59, выпуск 5, страницы 302–305 (Mi phts8113)

Международная конференция ФизикА.СПб, 20-24 октября 2025 г., Санкт-Петербург

Использование углерода для формирования дискретных зон на основе алюминия при их термомиграции в кремнии

Б. М. Середин, В. П. Попов, А. В. Малибашев, А. Д. Степченко, А. Н. Заиченко

ФГБОУ ВПО «Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М. И. Платова», 346428 Новочеркасск, Россия

Аннотация: Система дискретных линейных зон в виде ортогональной сетки пересекающихся прямолинейных зон, колец или квадратов при их термомиграции через пластину кремния формирует эпитаксиальные каналы, образующие сквозные замкнутые ячейки, востребованные силовой электроникой. Экспериментальные исследования выявили специфические дефекты в виде бугорков шарообразной формы на стартовой поверхности зон. Наличие таких дефектов нарушает заданную топологию каналов, делает невозможным постмиграционную обработку. Установлены причины возникновения указанных дефектов и предложен способ их эффективного устранения с помощью тонкого слоя углерода в виде сажи.

Ключевые слова: термомиграция, сквозные каналы, дефекты, сажа.

Поступила в редакцию: 05.05.2025
Исправленный вариант: 17.07.2025
Принята в печать: 18.07.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.05.61478.8049



© МИАН, 2026