Международная конференция ФизикА.СПб, 20-24 октября 2025 г., Санкт-Петербург

Комплексы собственных точечных дефектов в кремнии, сформированные в результате ионной имплантации ксенона высоких энергий и постимплантационных отжигов

Н. А. Маслова^a, Д. В. Данилов^ab, О. Ф. Вывенко^a, В. А. Скуратов^cde, В. А. Володин^fg, А. Е. Калядин^b, Н. А. Соболев<sup>b

a</sup> Санкт-Петербургский государственный университет, 199034 Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санк-Петербург, Россия
^c Объединенный институт ядерных исследований, 141980 Дубна, Московская область, Россия
^d Государственный университет "Дубна", 141982 Дубна, Московская область, Россия
^e Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 115409 Москва, Россия
^f Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^g Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Исследовано пространственное распределение комплексов точечных дефектов по глубине в монокристаллическом кремнии, облученном ионами ксенона с энергией 167 МэВ и флюенсом 5 $\cdot$ 10$^{11}$ см$^{-2}$ и отожженном в интервале температур 400–600$^\circ$C. Установлено, что по всей глубине области имплантации образуется большое число различных вакансионных комплексов, а на проекционной глубине имплантированных ионов возникает потенциальный барьер для протекания тока. Обнаружено, что высокая интенсивность спектральной линии люминесценции W/W', соответствующей межузельным комплексам, сохраняется и на глубинах, намного превосходящих проекционную длину, что может быть объяснено участием механизмов ускоренной диффузии собственных дефектов.

Ключевые слова: кремний, ионная имплантация, катодолюминесценция, электронная микроскопия.

Поступила в редакцию: 05.05.2025
Исправленный вариант: 25.07.2025
Принята в печать: 25.07.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.05.61477.8047