Международная конференция ФизикА.СПб, 20-24 октября 2025 г., Санкт-Петербург

Применение композитных подложек 6H-SiC/3C-SiC(001) для выращивания кубического политипа карбида кремния методом сублимации

А. В. Мясоедов^a, М. Г. Мынбаева^a, С. Ю. Приображенский^ab, Д. Г. Амельчук^a, С. П. Лебедев^a, А. А. Лебедев<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197022 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлены результаты исследования толстых слоев кубического политипа карбида кремния, выращенных с использованием композитных подложек 6H-SiC/3C-SiC(001) собственного изготовления. Выращивание слоев осуществлялось сублимационным методом в вакуумной камере в диапазоне температур 1600–1800$^\circ$C. Исследование проводилось методами оптической и просвечивающей электронной микроскопии и было направлено на характеризацию стабильности выращивания слоя кубического карбида кремния с ориентацией (001). Приводится анализ дефектной структуры слоя в сравнении со слоем карбида кремния с ориентацией (111), полученным на подложке гексагонального политипа.

Ключевые слова: карбид кремния, кубический политип, сублимационная эпитаксия.

Поступила в редакцию: 04.05.2025
Исправленный вариант: 19.07.2025
Принята в печать: 21.07.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.05.61476.8000