Международная конференция ФизикА.СПб, 20-24 октября 2025 г., Санкт-Петербург

Метаморфные InGaAs/GaAs-гетероструктуры для радиационно стойких фотопреобразователей лазерного излучения

М. З. Шварц, В. М. Емельянов, П. Д. Корниенко, В. Р. Ларионов, С. А. Левина, М. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, Н. А. Калюжный

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлены решения для повышения радиационной стойкости фотоэлектрических преобразователей на основе метаморфных In$_x$Ga$_{1-x}$As-гетероструктур со встроенным брегговским отражателем, оптимизированных на эффективное преобразование мощного лазерного излучения с длиной волны 1000–1100 нм. Получены экспериментальные зависимости деградации фотоэлектрических параметров преобразователей от дозы (флюенса) электронов с энергиями 2 и 4.5 МэВ.

Ключевые слова: фотоэлектрический приемник-преобразователь, лазерное излучение, метаморфная гетероструктура, радиационная стойкость.

Поступила в редакцию: 06.05.2025
Исправленный вариант: 08.07.2025
Принята в печать: 27.07.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.05.61475.8124