Международная конференция ФизикА.СПб, 20-24 октября 2025 г., Санкт-Петербург

Влияние резистивных параметров фотоэлектрических преобразователей на карты электролюминесценции и вольт-амперные характеристики

А. Д. Малевская, М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, Д. А. Малевский, Р. А. Салий, Н. А. Калюжный

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы вольт-амперные характеристики и карты электролюминесценции четырех AlGaAs/GaAs фотоэлектрических преобразователей, отличающихся конструкцией контактных сеток. Показано, что сравнительный анализ вида карты электролюминесценции позволяет определить, как изменяется процесс растекания тока как внутри полупроводниковых слоев (растекание между контактными полосками), так и внутри металлических контактов. Характеристики всех образцов были проанализированы разработанным ранее методом с применением трубковой модели растекания тока. Для всех фотоэлектрических преобразователей были определены токи насыщения, слоевое сопротивление растекания, а также сопротивление металлических контактов. Полученные значения согласовались с отличиями, заложенными при проектировании контактных сеток фотоэлектрических преобразователей.

Ключевые слова: фотоэлектрические преобразователи, солнечные элементы, сопротивление растекания, сопротивление контактов.

Поступила в редакцию: 05.05.2025
Исправленный вариант: 10.07.2025
Принята в печать: 27.07.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.05.61473.8072