Международная конференция ФизикА.СПб, 20-24 октября 2025 г., Санкт-Петербург

Мощный импульсный повышающий преобразователь на нитрид-галлиевых транзисторах

Е. А. Шершунова^a, С. И. Мошкунов^a, В. Ю. Хомич^a, А. А. Иголкин<sup>b

a</sup> Институт электрофизики и электроэнергетики РАН, 191186 Санкт-Петербург, Россия
^b Самарский национальный исследовательский университет имени академика С. П. Королева, 443086 Самара, Россия

Аннотация: Разработан и успешно протестирован модуль силового импульсного повышающего преобразователя напряжения постоянного тока с напряжением на выходе 130 В мощностью 3 кВт с рабочей частотой 100 кГц на нитрид-галлиевых полевых транзисторах. Проведен расчет мощности потерь на элементах силового преобразователя, согласно которому основным механизмом потерь является нагрев кристалла вследствие проводимости. При работе на максимальную мощность экспериментально получен кпд преобразователя 98.5%, что хорошо совпадает с расчетом.

Ключевые слова: преобразователь напряжения, летательные аппараты, нитрид-галлиевые транзисторы, потери мощности.

Поступила в редакцию: 28.04.2025
Исправленный вариант: 16.07.2025
Принята в печать: 23.07.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.05.61471.7906