Международная конференция ФизикА.СПб, 20-24 октября 2025 г., Санкт-Петербург

Самокаталитический рост GaInP-наноструктур на подложках кремния из паровой фазы: выбор состава источника и каталитических капель

Л. Б. Карлина^a, А. С. Власов^a, Р. В. Левин^a, И. П. Сошников<sup>abc

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербур, Россия
^c Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, 198095 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлены исследования самокаталитического роста наноструктур GaInP на подложках кремния ориентации (111) из насыщенных паров фосфора и индия в квазизамкнутом объеме, направленные на изучение способов управления составом получаемых структур. Исследования колебательных свойств и спектров фотолюминесценции показали, что, выбирая оптимальное сочетание составов источников и каталитических капель, возможно получать GaInP-наноструктуры, излучающие в диапазоне от 1.37 до 1.9 эВ. Установлены различия в морфологии полученных наноструктур в зависимости от условий их формирования.

Ключевые слова: наноструктуры GaInP, самокаталитический рост из паровой фазы, A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на Si.

Поступила в редакцию: 30.04.2025
Исправленный вариант: 26.06.2025
Принята в печать: 28.06.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.05.61470.7955