RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2025, том 59, выпуск 5, страницы 251–254 (Mi phts8102)

Международная конференция ФизикА.СПб, 20-24 октября 2025 г., Санкт-Петербург

Адсорбция калия на поверхности Al$_{0.5}$Ga$_{0.5}$N(0001)

М. Н. Лапушкин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проведен расчет адсорбции атомов калия на поверхности Al$_{0.5}$Ga$_{0.5}$N(0001)(0001) с помощью метода функционала плотности. 2D слой Al$_{0.5}$Ga$_{0.5}$N(0001)N моделировался суперъячейкой Al$_{0.5}$Ga$_{0.5}$N(0001)(0001) 2 $\times$ 2 $\times$ 2, содержащей 10 бислоев Al0.5Ga0.5N. На релаксированной поверхности Al$_{0.5}$Ga$_{0.5}$N(0001)(0001) атомы Ga расположены выше атомов Al. Показано, что адсорбция атомов K при покрытии 0.25 монослоя предпочтительна в мостиковой позиции, либо между поверхностными атомами Ga, либо между поверхностными атомами N. Адсорбция атомов калия формирует зону поверхностных состояний, электронная плотность которых локализована вблизи уровня Ферми.

Ключевые слова: AlGaN, калий, адсорбция, электронная структура.

Поступила в редакцию: 05.05.2025
Исправленный вариант: 04.08.2025
Принята в печать: 04.08.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.05.61467.7842



© МИАН, 2026