Ф. И. Зубов, Ю. М. Шерняков, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, Д. А. Лившиц, А. С. Паюсов, А. М. Надточий, А. В. Савельев, Н. В. Крыжановская, Н. Ю. Гордеев, “Спектральная зависимость фактора уширения линии в лазерах на квантовых точках”, Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 12,страницы 1681

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Спектральная зависимость фактора уширения линии в лазерах на квантовых точках

Ф. И. Зубов^a, Ю. М. Шерняков^ab, М. В. Максимов^ab, А. Е. Жуков^a, Д. А. Лившиц^c, А. С. Паюсов^b, А. М. Надточий^b, А. В. Савельев^a, Н. В. Крыжановская^a, Н. Ю. Гордеев^ab

^a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Innolume GmbH, 44263 Дортмунд, Германия

Аннотация: С помощью анализа спектров усиленного спонтанного излучения определен фактор спектрального уширения линии ($\alpha$-фактор) в лазерах на основе квантовых точек InAs/InGaAs в широком спектральном диапазоне вблизи энергии основного оптического перехода. Изучено влияние тока накачки и числа слоев квантовых точек на спектральные зависимости $\alpha$-фактора. Впервые для лазеров с квантовыми точками InAs/InGaAs экспериментально определена температурная зависимость спектров $\alpha$-фактора. Предложено объяснение наблюдавшемуся аномальному уменьшению $\alpha$-фактора с ростом температуры.

Поступила в редакцию: 15.05.2013
Принята в печать: 27.05.2013