Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Получение и исследование $p$–$n$-структур с кристаллическими включениями в области пространственного заряда

В. С. Калиновский^a, Р. В. Лёвин^a, Б. В. Пушный^b, М. Н. Мизеров^b, В. Д. Румянцев^a, В. М. Андреев<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Предложена новая модель соединительных элементов для монолитных многопереходных солнечных фотопреобразователей на основе соединений A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$, где вместо туннельных $p^{++}$–$n^{++}$-переходов используются $p$–$n$-переходы с кристаллическими включениями инородного полупроводникового материала в области пространственного заряда. Исследования показали, что введение кристаллических включений в область пространственного заряда $p$–$n$-перехода в структуре на основе GaSb позволяет обеспечить прохождение тока $\sim$ 50 А/см$^2$ при значениях омического сопротивления на уровне $\sim$ 0.01 Ом $\cdot$ см$^2$. Полученные характеристики соединительных элементов с кристаллическими включениями демонстрируют возможность их использования в многопереходных солнечных элементах при преобразовании концентрированного оптического излучения.

Поступила в редакцию: 15.04.2013
Принята в печать: 23.05.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:12, 1652–1655

Реферативные базы данных:

•