Эта публикация цитируется в 4 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Моделирование поглощения фемтосекундного лазерного импульса кристаллическим кремнием

И. В. Гук, Г. А. Марциновский, Г. Д. Шандыбина, Е. Б. Яковлев

Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197101 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследовано влияние нелинейности поглощательной способности и коэффициента поглощения на процесс интенсивного фотовозбуждения кремния на основе модели двухфотонного возбуждения полупроводника с учетом внешней эмиссии. Сравнение результатов моделирования поглощения фемтосекундного лазерного импульса монокристаллическим кремнием с экспериментальными данными по условиям фемтосекундного возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов позволило уточнить механизм изменения поглощательной способности и необходимость учета этого изменения при оценке режимов лазерной обработки полупроводников. Обсуждаются пути дальнейшего совершенствования теоретической модели.

Поступила в редакцию: 27.12.2012
Принята в печать: 04.04.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:12, 1616–1620

Реферативные базы данных:

•