Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Латерально локализующий потенциал как инструмент для управления временем спиновой релаксации электронов в квантовых ямах GaAs

А. В. Ларионов^a, А. И. Ильин<sup>b

a</sup> Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия
^b Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН

Аннотация: Экспериментально исследована когерентная спиновая динамика электронов, локализованных в плоскости квантовых ям GaAs с помощью электрически управляемого потенциала. Локализующий потенциал создавался с помощью металлического затвора с отверстиями субмикрометрового масштаба, нанесенного на поверхность образца. Методом фотоиндуцированного спинового эффекта Керра было изучено время жизни спина электронов как функция температуры, приложенного смещения и магнитного поля для затворов с разным набором отверстий. Показано, что с помощью электрически управляемого, латерально локализующего потенциала можно плавно изменять время жизни спина электронов от нескольких сотен пикосекунд до нескольких десятков наносекунд. Полученная зависимость времени спиновой релаксации электронов от размера области латеральной локализации находится в хорошем качественном согласии с теоретическим предсказанием.

Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:12, 1598–1603

Реферативные базы данных:

•