Эта публикация цитируется в 3 статьях

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Исследование гетероструктур с комбинированным слоем квантовых точек/квантовой ямы In(Ga)As/GaAs и $\delta$-слоем Mn

Е. Д. Павлова, А. П. Горшков, А. И. Бобров, Н. В. Малехонова, Б. Н. Звонков

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: С помощью методов высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии и фотоэлектрической спектроскопии исследовано влияние встраивания $\delta$-слоя Mn и методики выращивания покровного слоя GaAs в структурах с квантовыми точками и ямами In(Ga)As/GaAs на их кристаллические и оптоэлектронные характеристики. Обнаружено, что в структуре с $\delta$-слоем Mn низкотемпературный покровный слой GaAs является структурно-неоднородным и может являться причиной снижения фоточувствительности от квантовых точек.

Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:12, 1591–1594

Реферативные базы данных:

•