Эта публикация цитируется в 7 статьях

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Исследования структуры ферромагнитного слоя GaMnSb

А. И. Бобров, Е. Д. Павлова, А. В. Кудрин, Н. В. Малехонова

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Исследована кристаллическая структура и состав пленки GaMnSb, полученной на подложке GaAs (100) методом осаждения из лазерной плазмы в потоке водорода при температуре 400$^\circ$C. Обнаружено образование включений GaMn в матрице GaSb : Mn, в стехиометрическом соотношении Ga$_{162.5}$Mn$_{101.5}$.

Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:12, 1587–1590

Реферативные базы данных:

•