Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с комбинированными слоями квантовых ям и точек In(Ga)As/GaAs

Н. С. Волкова, А. П. Горшков, А. В. Здоровейщев, О. В. Вихрова, Б. Н. Звонков

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Проведен анализ влияния встраивания квантовой ямы InGaAs в структуры с квантовыми точками InAs/GaAs, выращенными газофазной эпитаксией в режиме с увеличенным временем прерывания роста, на их оптоэлектронные свойства. Установлено, что энергетический спектр квантовых точек слабо чувствителен к изменениям толщины и состава двойного покровного слоя InGaAs/GaAs. Нанесение квантовой ямы на слой квантовых точек снижает эффективную высоту эмиссионного барьера в них. Определены условия, при которых квантовая яма может быть использована для защиты активного слоя квантовых точек от проникновения дефектов, возникающих при анодном окислении поверхности структуры.

Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:12, 1583–1586

Реферативные базы данных:

•