Эта публикация цитируется в 1 статье

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Фотонные кристаллы и брэгговские решетки для излучателей среднего инфракрасного и терагерцового диапазонов спектра

А. А. Усикова, Н. Д. Ильинская, Б. А. Матвеев, Т. В. Шубина, П. С. Копьев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Сообщается о способе создания двумерных периодических структур методом контактной оптической фотолитографии с использованием технологии инвертирования изображения. Рассмотрены оптические свойства полученных фотонных кристаллов и брэгговских решеток для излучателей среднего инфракрасного и терагерцового диапазонов спектра. Показана возможность увеличения интегральной мощности излучения светодиодов среднего инфракрасного диапазона. Определены требования к решеткам для вывода терагерцового излучения, обусловленного поверхностными плазмонами, возбуждаемыми в слоях узкозонных вырожденных полупроводников, обладающих аккумуляционным слоем.

Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:12, 1570–1573

Реферативные базы данных:

•