RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 12, страницы 1586–1590 (Mi phts8082)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Двумерный полуметалл в широких квантовых ямах HgTe: энергетический спектр носителей и магнитотранспорт

А. В. Германенкоa, Г. М. Миньковb, О. Э. Рутa, А. А. Шерстобитовb, С. А. Дворецкийc, Н. Н. Михайловc

a Институт естественных наук, Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина, Екатеринбург
b Институт физики металлов УрО РАН, г. Екатеринбург
c Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований магнитосопротивления, эффекта Холла и эффекта Шубникова–де-Гааза, выполненных на полупроводниковых гетероструктурах с одиночной квантовой ямой бесщелевого полупроводника HgTe шириной 20.2 нм. Исследования проведены на образцах с полевым электродом в широком диапазоне концентраций и дырок. Анализ экспериментальных данных позволил реконструировать энергетический спектр электронов и дырок вблизи экстремумов подзон размерного квантования. Показано, что закон дисперсии носителей заряда в исследованных системах отличается от закона, рассчитанного в рамках стандартной $kp$-модели.

Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:12, 1562–1566

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026