Эта публикация цитируется в 9 статьях

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Магнитопоглощение в узкозонных эпитаксиальных слоях HgCdTe в терагерцовом диапазоне

А. В. Иконников^a, М. С. Жолудев^b, В. И. Гавриленко^a, Н. Н. Михайлов^c, С. А. Дворецкий<sup>c

a</sup> Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Изучены спектры магнитопоглощения и фотопроводимости в терагерцовом диапазоне при температуре $T$ = 4.2 K объемных эпитаксиальных слоев $n$-Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te различных составов (как полупроводниковых, так и полуметаллического), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В рамках модели Кейна 8 $\cdot$ 8 выполнены расчеты уровней Ландау электронов и дырок. Показано, что в отличие от результатов ранних исследований все наблюдаемые резонансные линии связаны с переходами между уровнями Ландау свободных носителей (циклотронный резонанс в зоне проводимости и переходы между уровнями Ландау тяжелых дырок и электронов), что свидетельствует о высокой чистоте и структурном совершенстве образцов. Показана возможность использования бесщелевых твердых растворов Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te в качестве перестраиваемых магнитным полем фотоприемников терагерцового диапазона.

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:12, 1545–1550

Реферативные базы данных:

•