Эта публикация цитируется в 4 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Исследование переходного слоя в гетероструктурах 3C-SiH/6H-SiC

А. А. Лебедев, М. В. Заморянская, С. Ю. Давыдов, Д. А. Кириленко, С. П. Лебедев, Л. М. Сорокин, Д. Б. Шустов, М. П. Щеглов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методами ТЕМ и катодолюминесценции проведено исследование переходной области гетероструктур 3C-SiC/6H-SiC. Обнаружено, что данная область, как правило, состоит из чередования слоев 3C-SiC и 6H-SiC с возможным включением и других политипов карбида кремния. Высказано предположение, что подобная структура переходной области может быть объяснена на основе модели спинодального распада.

Поступила в редакцию: 03.04.2013
Принята в печать: 16.04.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:11, 1539–1543

Реферативные базы данных:

•