Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Высокоэффективная электрооптическая полупроводниковая среда на основе гетероструктур второго рода

В. А. Щукин^ab, Н. Н. Леденцов^ab, Л. Я. Карачинский^bcd, С. А. Блохин^bd, И. И. Новиков^bcd, Н. А. Богословский^b, А. В. Савельев<sup>c

a</sup> VI Systems GmbH, D-10623 Berlin, Germany
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
^d ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург

Аннотация: Предложена электрооптическая среда на основе полупроводниковой сверхрешетки второго рода. Методом спектроскопии оптического отражения проведены исследования электрооптической модуляции интенсивности оптического отражения электрооптической среды, интегрированной в вертикальный резонатор Фабри–Перо. Полученные экспериментальные данные аппроксимированы с помощью осцилляторной модели экситонного поглощения. Эффективность электрооптической среды при отстройке от пика поглощения на 50 мэВ и электрических полях 0–50 кВ/cм составляет 10$^{-9}$ м/В при коэффициенте заполнения среды 100%.

Поступила в редакцию: 03.04.2013
Принята в печать: 08.04.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:11, 1528–1538

Реферативные базы данных:

•