Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Особенности электролюминесценции в гетероструктурах с квантовыми точками InSb в матрице InAs

Я. А. Пархоменко, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Изучены электрические и электролюминесцентные свойства одиночной узкозонной гетероструктуры на основе $p$–$n$-перехода в арсениде индия, содержащей одиночный слой квантовых точек InSb в матрице InAs. Наличие квантовых точек существенно влияло на форму обратной ветви вольт-амперных характеристик гетероструктуры. При приложении обратного смещения спектры электролюминесценции гетероструктуры с квантовыми точками при комнатной температуре помимо полосы отрицательной люминесценции с максимумом на длине волны $\lambda$ = 3.5 мкм содержали также полосу излучения положительной люминесценции при 3.8 мкм, которая обусловлена излучательными переходами с участием локализованных состояний квантовых точек на гетерогранице II типа InSb/InAs.

Поступила в редакцию: 02.04.2013
Принята в печать: 08.04.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:11, 1523–1527

Реферативные базы данных:

•