Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, Р. В. Кузьмин, А. М. Маляренко, В. А. Машков, “Особенности формирования спектров электролюминесценции квантово-размерных кремниевых $p^+$–$n$-гетеропереходов в инфракрасном диапазоне длин волн”, Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 11,страницы 1530

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Особенности формирования спектров электролюминесценции квантово-размерных кремниевых $p^+$–$n$-гетеропереходов в инфракрасном диапазоне длин волн

Н. Т. Баграев^a, Л. Е. Клячкин^a, Р. В. Кузьмин^a, А. М. Маляренко^a, В. А. Машков^b

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проводится анализ результатов исследований характеристик оптического излучения, возникающего в различных областях сильно легированных бором квантово-размерных кремниевых $p^+$–$n$-гетеропереходов. Полученные результаты позволяют сделать выводы, что электролюминесценция ближнего инфракрасного диапазона возникает вблизи гетерограницы между наноструктурированным широкозонным кремниевым $p^+$-барьером, сильно легированным бором, и кремнием (100) $n$-типа проводимости и что в ее формировании активное участие принимают дипольные центры бора.

Поступила в редакцию: 01.04.2013
Принята в печать: 08.04.2013