Эта публикация цитируется в 4 статьях

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Зависимость концентрации носителей заряда от тока в инжекционных лазерах среднего инфракрасного диапазона с квантовыми ямами

М. Я. Винниченко^a, Л. Е. Воробьев^a, Д. А. Фирсов^a, М. О. Машко^a, Р. М. Балагула^a, G. L. Belenky^b, L. Shterengas^b, G. Kipshidze<sup>b

a</sup> Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^b State University of New York at Stony Brook, 11794 Stony Brook, New York, USA

Аннотация: В инжекционных лазерах среднего инфракрасного диапазона с квантовыми ямами InGaAsSb/InAlGaAsSb экспериментально исследованы спектральные зависимости интенсивности спонтанной люминесценции в допороговом режиме и в режиме лазерной генерации. По зависимости интегральной спонтанной люминесценции от тока определена токовая зависимость концентрации носителей заряда. Обнаружено отсутствие насыщения концентрации носителей заряда с током в режиме генерации стимулированного излучения. Показано, что это может быть связано с разогревом носителей заряда на нижних уровнях размерного квантования и с увеличением поглощения света свободными дырками в волноводе.

Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:11, 1513–1516

Реферативные базы данных:

•