Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Cпектрокинетические свойства гетероструктур с квантовыми ямами на основе GaAsSb/InGaAs/GaAs, излучающих в области 1.0–1.2 мкм

С. В. Морозов^ab, Д. И. Крыжков^ab, В. Я. Алешкин^ab, Б. Н. Звонков^c, О. И. Вихрова<sup>c

a</sup> Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^c Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Проведено исследование спектрокинетических свойств с пикосекундным и наносекундным временны́м разрешением гетероструктур с квантовыми ямами на основе GaAs/GaAsSb и GaAsSb/InGaAs/GaAs, излучающих в области 1.0–1.2 мкм. В структуре GaAsSb/InGaAs/GaAs наблюдалась интенсивная фотолюминесценция вплоть до комнатной температуры, а также увеличение сигнала фотолюминесценции в 2.5 раза и сдвиг положения максимума пика ($\sim$ 100 мэВ) в длинноволновую область по сравнению со структурой-спутником GaAsSb/GaAs. Установлено, что с увеличением молярной доли Sb и толщины слоя InGaAs энергия основного перехода уменьшается на 140 мэВ по отношению к структуре GaAsSb/InGaAs/GaAs с меньшим содержанием Sb и меньшей толщиной слоя InGaAs. При 300 K длина волны излучения такой структуры составляла 1.18 мкм. Кроме того, увеличение толщины слоя InGaAs привело к увеличению интенсивности фотолюминесценции при комнатной температуре в 60 раз, что связано с уменьшением энергии основного состояния для электронов в слое InGaAs, и, следовательно, к большей локализации электронов и меньшему температурному гашению фотолюминесценции.

Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:11, 1504–1507

Реферативные базы данных:

•