Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Особенности примесной фотопроводимости в эпитаксиальных диодах Si : Er/Si

А. В. Антонов, К. Е. Кудрявцев, Д. В. Шенгуров, В. Б. Шмагин, З. Ф. Красильник

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Исследованы спектры фототока эпитаксиальных диодных структур Si : Er/Si. Показано, что характер подзонного фотоотклика определяется температурой эпитаксии слоя Si : Er и не связан с составом излучающих центров эрбия. Установлено, что поглощение света с энергией кванта, меньшей ширины запрещенной зоны кремния, определяется примесно-дефектными комплексами, возникающими в процессе роста эпитаксиального слоя и формирующими квазинепрерывный спектр состояний в запрещенной зоне кремния. Предполагается, что указанные примесные центры не связаны с оптически активными центрами эрбия и не участвуют в процессах передачи энергии возбуждения редкоземельной примеси.

Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:11, 1500–1503

Реферативные базы данных:

•