Эта публикация цитируется в 5 статьях

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Кинетика фотолюминесценции самоформирующихся Ge(Si) островков в многослойных структурах SiGe/Si и SiGe/SOI

А. Н. Яблонский^a, Н. А. Байдакова^a, А. В. Новиков^b, Д. Н. Лобанов<sup>a

a</sup> Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Представлены результаты исследования спектральных и временных характеристик фотолюминесценции многослойных структур с самоформирующимися Ge(Si) островками, выращенных на кремниевых подложках и подложках “кремний-на-изоляторе”, в зависимости от температуры и длины волны возбуждающего излучения. В структурах с Ge(Si) островками, выращенными на кремниевых подложках, обнаружено значительное возрастание интенсивности фотолюминесценции островков при увеличении температуры от 4 до 70 K, связанное с диффузией неравновесных носителей заряда из кремниевой подложки в активный слой с островками. При этом в кинетике нарастания фотолюминесценции островков возникает медленная компонента с характерным временем $\sim$ 100 нс. В то же время в структурах, выращенных на подложках “кремний-на-изоляторе”, в которых активный слой с островками изолирован от кремниевой подложки слоем SiO$_2$, медленная компонента в кинетике нарастания фотолюминесценции островков отсутствует, и возрастание интенсивности фотолюминесценции с ростом температуры не наблюдается. Установлено, что поглощение возбуждающего излучения в островках и SiGe смачивающих слоях дает основной вклад в возбуждение сигнала фотолюминесценции островков в условиях подзонной оптической накачки.

Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:11, 1496–1499

Реферативные базы данных:

•