Эта публикация цитируется в 7 статьях

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Спиновое расщепление Рашбы и циклотронный резонанс в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP с двумерным электронным газом

К. П. Калинин^a, С. С. Криштопенко^a, К. В. Маремьянин^a, К. Е. Спирин^a, В. И. Гавриленко^a, А. А. Бирюков^b, Н. В. Байдусь^b, Б. Н. Звонков<sup>b

a</sup> Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Проведены экспериментальные исследования циклотронного резонанса и магнитотранспорта в напряженных гетероструктурах InP/InGaAs/InP c асимметричными квантовыми ямами при 4.2 K. Продемонстрировано возрастание циклотронной массы на уровне Ферми от 0.047$m_0$ до 0.057$m_0$ с ростом концентрации двумерных электронов от 5.5 $\cdot$ 10$^{11}$ до 2.1 $\cdot$ 10$^{12}$ см$^{-2}$. Из фурье-анализа биений осцилляций Шубникова–де-Гааза определены значения спинового расщепления Рашбы на уровне Ферми. Полученные экспериментальные данные сравниваются с теоретическими результатами самосогласованных расчетов энергетического спектра и циклотронных масс 2D электронов, выполненных с использованием 8-зонного $\mathbf{k}\cdot\mathbf{p}$ гамильтониана.

Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:11, 1485–1491

Реферативные базы данных:

•