Эта публикация цитируется в 1 статье

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Сегрегация сурьмы в напряженных SiGe-гетероструктурах, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии

М. Н. Дроздов^a, А. В. Новиков^ab, Д. В. Юрасов<sup>a

a</sup> Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Для напряженных SiGe-структур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, экспериментально исследовано влияние на сегрегацию сурьмы температуры роста, компонентного состава и упругих напряжений отдельных слоев. Установлено, что условия роста и параметры структуры оказывают взаимосвязанное воздействие на сегрегацию Sb: степень влияния состава и упругих напряжений SiGe-слоев на сегрегацию Sb зависит от температуры роста. Показано, что использование ранее предложенного авторами метода селективного легирования кремниевых структур с учетом полученных зависимостей сегрегации Sb от условий роста и параметров SiGe-слоев позволяет формировать селективно-легированные сурьмой SiGe-структуры.

Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:11, 1481–1484

Реферативные базы данных:

•