Эта публикация цитируется в 2 статьях

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Проявление эффекта Пёрселла в проводимости короткопериодных сверхрешеток InAs/AlSb

М. С. Каган^a, И. В. Алтухов^a, А. Н. Баранов^b, Н. Д. Ильинская^c, С. К. Папроцкий^a, Р. Тесье^b, А. А. Усикова<sup>c

a</sup> Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Москва
^b Institut d'Electronique du Sud, Université Montpellier 2, 34095 Montpellier Cedex 5, France
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследовался вертикальный транспорт в короткопериодных сверхрешетках InAs/AlSb с гетеропереходами II рода при комнатной температуре. Обнаружено возникновение отрицательной дифференциальной проводимости в режиме минизонной проводимости при перекрытии размерно-квантованных состояний в периодической системе квантовых ям. В режиме нерезонансного туннелирования обнаружено возникновение эквидистантных максимумов на вольт-амперной характеристике этих сверхрешеток, которые связываются с влиянием резонатора на оптические электронные переходы в квантовых ямах (эффект Пёрселла).

Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:11, 1478–1480

Реферативные базы данных:

•