Эта публикация цитируется в 7 статьях

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной структуре на основе GaAs

В. Я. Алешкин^a, А. А. Афоненко^b, Н. В. Дикарёва^c, А. А. Дубинов^a, К. Е. Кудрявцев^a, С. В. Морозов^a, С. М. Некоркин<sup>c

a</sup> Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Белорусский государственный университет, г. Минск
^c Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Теоретически и экспериментально исследован волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в полупроводниковой лазерной структуре на основе GaAs. Показана возможность использования квантовых ям только в качестве волноведущих слоев в лазерной структуре. При достижении величины плотности мощности возбуждения 2 кВт/см$^2$ при температуре жидкого азота наблюдалась суперлюминесценция на длине волны, соответствующей оптическому переходу в объемном GaAs (длина волны 835 нм).

Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:11, 1475–1477

Реферативные базы данных:

•