Эта публикация цитируется в 2 статьях

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Влияние быстрого термического отжига на параметры арсенидгаллиевого низкобарьерного диода с приповерхностным $\delta$-легированием

А. В. Мурель, В. М. Данильцев, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, В. И. Шашкин

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Экспериментальные исследования влияния быстрого термического отжига на низкобарьерные диодные структуры, используемые при изготовлении микроволновых детекторов для систем радиовидения, указывают на возрастание эффективной высоты барьера. Предполагая, что эффект связан с диффузионным расплыванием $\delta$-слоя кремния, который определяет токоперенос в модифицированном диоде, построена теоретическая модель и оценен коэффициент диффузии кремния в приповерхностной области арсенида галлия ($D\approx$ 2 $\cdot$ 10$^{-14}$ см$^2$/c при 600$^\circ$C). Сравнение с опубликованными данными позволяет предположить, что диффузия в приповерхностном слое существенно облегчена по сравнению с объемной. Высказывается предположение, что причиной ускорения диффузионного процесса могут быть высокое электрическое поле, создаваемое заряженной плоскостью доноров, а также повышенная плотность дефектов вблизи поверхности. Практический результат заключается в появляющейся возможности в определенных пределах повышать эффективную высоту барьера в выращенных структурах, что позволит подогнать параметры низкобарьерных диодов к оптимальному значению для получения чувствительных детекторов.

Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:11, 1470–1474

Реферативные базы данных:

•