RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 11, страницы 1476–1480 (Mi phts8062)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Метастабильные состояния – возможный механизм аномалий кондактанса мезоскопических структур

В. А. Сабликов

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Аннотация: Изучено образование метастабильного состояния в одномерной модели квантового баллистического контакта, в которой контакт представляется в виде потенциального барьера с локализованным в нем межэлектронным взаимодействием. Показано, что когда параметр взаимодействия превышает критическую величину, возникает метастабильное состояние со спонтанной спиновой поляризацией барьера. Разность термодинамических потенциалов метастабильного и глобально устойчивого состояний стремится к нулю в критической точке и поэтому наличие метастабильного состояния проявляется в транспорте уже при низкой температуре и с ростом температуры плавно увеличивается. Основной эффект состоит в понижении проводимости при увеличении температуры, которое происходит в определенном интервале величины потенциала барьерной области, подобном наблюдаемому при образовании известной 0.7 аномалии кондактанса.

Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:11, 1465–1469

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026