С. В. Морозов, В. В. Румянцев, К. Е. Кудрявцев, В. И. Гавриленко, Д. В. Козлов, “Кинетика релаксации примесной фотопроводимости в $p$-Si : B с различным уровнем легирования и степенью компенсации в сильных электрических полях”, Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 11,страницы 1472

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Кинетика релаксации примесной фотопроводимости в $p$-Si : B с различным уровнем легирования и степенью компенсации в сильных электрических полях

С. В. Морозов^ab, В. В. Румянцев^ab, К. Е. Кудрявцев^a, В. И. Гавриленко^ab, Д. В. Козлов^ab

^a Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Исследуется релаксация примесной фотопроводимости в $p$-Si : B при импульсном оптическом возбуждении узкополосным перестраиваемым источником излучения в “греющих” (10–500 В/см) электрических полях. Обнаружено изменение характера зависимости времени релаксации от электрического поля при $E>$ 75 В/см за счет подключения процессов релаксации с испусканием оптического фонона. Зависимость темпов релаксации носителей от интенсивности и длины волны возбуждающего излучения указывает также на наличие долгоживущего возбужденного состояния, играющего роль уровня прилипания при релаксации носителей.

Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013