Эта публикация цитируется в 4 статьях

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Псевдоморфные гетероструктуры GeSn/Ge(001)

А. А. Тонких^ab, В. Г. Талалаев^c, P. Werner<sup>a

a</sup> Max Planck Institute of Microstructure Physics, 06120 Halle, Germany
^b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^c Martin Luther University Halle-Wittenberg, ZIK SiLi-nano, 06120 Halle, Germany

Аннотация: Сообщается о синтезе псевдоморфных гетероструктур GeSn на подложке Ge(001) методом молекулярно пучковой эпитаксии. Исследования методом просвечивающей электронной микроскопии показывают, что слои GeSn – бездефектные и обладают кубической алмазоподобной структурой. Спектроскопия фотолюминесценции обнаруживает излучательную межзонную рекомбинацию в GeSn-квантовых ямах, идентифицированную как непрямые переходы между подзонами тяжелых электронов и тяжелых дырок. На основании экспериментальных данных и моделирования зонной структуры псевдоморфных соединений GeSn была оценена нижняя граница параметра нелинейности для непрямой запрещенной зоны, $b_L\ge$ 1.47 эВ.

Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:11, 1452–1455

Реферативные базы данных:

•