Эта публикация цитируется в 3 статьях

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Эффекты туннелирования в наклонных магнитных полях в структурах $n$-InGaAs/GaAs c двойными сильно-связанными квантовыми ямами

Ю. Г. Арапов^a, С. В. Гудина^a, А. С. Клепикова^a, В. Н. Неверов^a, С. М. Подгорных^ab, М. В. Якунин^ab, Б. Н. Звонков<sup>c

a</sup> Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, 620990 Екатеринбург, Россия
^b Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
^c Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: В работе представлены результаты исследования эффектов туннелирования между двумя параллельными двумерными электронными газами в наноструктурах $n$-InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами при изменении параллельной компоненты наклонного магнитного поля (до $B_{\parallel}$ = 9.0 Тл) в интервале температур $T$ = 1.8–70.0 K. Из анализа зависимостей продольного сопротивления от параллельной компоненты наклонного магнитного поля при фиксированных температурах $\rho_{xx}(B_{\parallel},T)$ получена немонотонная температурная зависимость обратного квантового времени жизни $\tau_q^{-1}(T)$. Установлено, что квадратичный участок этой зависимости обусловлен вкладом от неупругого электрон-электронного рассеяния. Уменьшение обратного квантового времени жизни $\tau_q^{-1}(T)$ при $T>$ 0.1 $T_{\mathrm{F}}$ известными теориями не описывается и, по-видимому, не связано с процессами релаксации импульса электронов.

Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:11, 1447–1451

Реферативные базы данных:

•