Эта публикация цитируется в 19 статьях

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Особенности спектров и кинетики релаксации длинноволновой фотопроводимости в узкозонных эпитаксиальных пленках и гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe

В. В. Румянцев^a, А. В. Иконников^ab, А. В. Антонов^a, С. В. Морозов^ab, М. С. Жолудев^a, К. Е. Спирин^a, В. И. Гавриленко^ab, С. А. Дворецкий^c, Н. Н. Михайлов<sup>c

a</sup> Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^c Инстиут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Проведены исследования спектров и кинетики релаксации межзонной фотопроводимости в узкозонных эпитаксиальных пленках Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te с $x$ = 0.19–0.23 и структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe с энергией межзонных переходов в диапазоне 30–90 мэВ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs (013). В спектрах структур с квантовыми ямами помимо межзонной фотопроводимости обнаружена длинноволновая полоса чувствительности, обусловленная примесями/дефектами. Показано, что при той же самой энергии оптического перехода времена жизни неравновесных носителей в структурах с КЯ меньше, чем в объемных образцах. По измеренным временам жизни носителей оценены ампер-ваттная чувствительность и эквивалентная мощность шума для пленки с $x$ = 0.19 для длины волны 19 мкм. При исследованиях кинетики релаксации фотопроводимости при 4.2 K в условиях сильного возбуждения обнаружено преобладание излучательной рекомбинации над остальными механизмами рекомбинации неравновесных носителей.

Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:11, 1438–1441

Реферативные базы данных:

•