Эта публикация цитируется в 1 статье

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Сравнительное исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложке 6H-SiC, методом сублимации

Д. Б. Шустов, А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, Д. К. Нельсон, А. А. Ситникова, М. В. Заморянская

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследовались гетероструктуры $n$-3C-SiC/$n$-6H-SiC, выращенные методом сублимации в вакууме на коммерческих подложках 6H-SiC компании CREE. ПЭМ исследования показали, что на подложке вырос переходной слой переменной толщины, представляющий собой смесь 3C- и 6H-политипов. На прослойке был получен слой 3C-политипа. Исследования катодолюминесценции поверхности выращенной пленки в латеральной поверхности показали, что на поверхности и приповерхностной области (порядка 100 мкм) встречаются дефекты в виде вкрапления другой фазы (6H-политипа), дефектов упаковки и двойничковых границ (разделяющих домены кубической модификации, выращенной в различных ориентациях). Различные условия роста оказывают влияние на концентрацию различных типов дефектов.

Поступила в редакцию: 14.01.2013
Принята в печать: 21.01.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:9, 1267–1270

Реферативные базы данных:

•