RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 9, страницы 1276–1278 (Mi phts8023)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Свойства пленок кремния, выращенных при разных давлениях в плазмообразующей системе

Д. М. Митинab, А. А. Сердобинцевab

a Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
b Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Аннотация: Изучено влияние давления рабочего газа на свойства тонких пленок кремния, синтезированных методом магнетронного распыления на постоянном токе. Пленки, полученные при более низких давлениях, отличаются меньшей шероховатостью и меньшим удельным сопротивлением. Качественно это можно объяснить большей длиной свободного пробега частиц в потоке осаждения при меньших давлениях.

Поступила в редакцию: 29.11.2012
Принята в печать: 10.12.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 46:9, 1264–1266

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026