Эта публикация цитируется в 7 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Анизотропия электронного $g$-фактора в квантовых ямах на основе кубических полупроводников

П. С. Алексеев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Для асимметричных квантовых ям на основе полупроводников типа GaAs предложен новый механизм анизотропии спинового расщепления электронных уровней размерного квантования относительно поворотов магнитного поля в плоскости ямы. Показано, что линейная по магнитному полю анизотропия зеемановского расщепления в асимметричной квантовой яме появляется за счет интерфейсных спин-орбитальных слагаемых в гамильтониане электрона. Для случая симметричной квантовой ямы показано, что анизотропия зеемановского расщепления кубична по величине магнитного поля, зависит как гармоника 4-го порядка от направления магнитного поля и обусловлена спин-орбитальным членом 4-го порядка по кинематическoму импульсу в гамильтониане объемного полупроводника.

Поступила в редакцию: 04.03.2013
Принята в печать: 11.03.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:9, 1241–1245

Реферативные базы данных:

•