Эта публикация цитируется в 9 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Оптическая ориентация электронов в компенсированных полупроводниках

И. А. Кокурин^ab, П. В. Петров^a, Н. С. Аверкиев<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева, г. Саранск

Аннотация: Представлена теория оптической ориентации носителей заряда в компенсированных полупроводниках A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ и квантовых ямах на их основе в случае возбуждения электронов из состояния заряженного акцептора Mn$^-$ в зону проводимости. Установлено, что в квантовой яме GaAs/AlGaAs степень спиновой ориентации электронов в зоне проводимости при такой схеме возбуждения может достигать 85%. При этом рост степени ориентации не связан с расщеплением уровней за счет размерного квантования, а происходит за счет увеличения вклада тяжелых дырок в состояние акцептора вблизи центра дефекта. Показано, что степень циркулярной поляризации фотолюминесценции при рекомбинации термализованных электронов со дна зоны и дырки в основном состоянии акцептора в квантовой яме может превышать 70%.

Поступила в редакцию: 14.02.2013
Принята в печать: 20.02.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:9, 1232–1240

Реферативные базы данных:

•