Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Подавление магнитотуннелирования электронов между параллельными двумерными электронными системами GaAs/InAs корреляционным взаимодействием

Ю. Н. Ханин^a, Е. Е. Вдовин^a, О. Макаровский^b, М. Хенини<sup>b

a</sup> Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
^b Школа физики и астрономии, Университет Ноттингема, Ноттингем NG7 2RD, Великобритания

Аннотация: Исследовано магнитотуннелирование между двумерными электронными системами GaAs/InAs в вертикальных резонансно-туннельных гетероструктурах GaAs/InAs/AlAs. Обнаружен новый тип особенности в туннельной плотности состояний (провал на уровне Ферми), радикально отличающийся от наблюдавшихся ранее при туннелировании между двумерными туннельными GaAs-системами как видом функциональной зависимости, так и энергетическими и температурными параметрами. Данный эффект, как и прежде, проявлялся в подавлении резонансного туннелирования в узком интервале вблизи нулевого смещающего напряжения в сильном магнитном поле, параллельном направлению тока. Получены магнитополевые и температурные зависимости параметров эффекта, и произведено сравнение с результатами существующих теоретических и экспериментальных работ. В качестве возможной причины эффекта предполагается наличие высокой степени беспорядка в коррелированных двумерных электронных системах в результате введения в них структурно несовершенных, напряженных слоев InAs.

Поступила в редакцию: 10.01.2013
Принята в печать: 21.01.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:9, 1215–1218

Реферативные базы данных:

•