Р. А. Хабибуллин, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, Д. С. Пономарев, И. С. Васильевский, В. А. Кульбачинский, П. Ю. Боков, Л. П. Авакянц, А. В. Червяков, П. П. Мальцев, “Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания”, Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 9,страницы 1215

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания

Р. А. Хабибуллин^a, Г. Б. Галиев^a, Е. А. Климов^a, Д. С. Пономарев^a, И. С. Васильевский^b, В. А. Кульбачинский^c, П. Ю. Боков^c, Л. П. Авакянц^c, А. В. Червяков^c, П. П. Мальцев^a

^a Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова РАН, г. Москва
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
^c Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова

Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращена серия гетероструктур с разной глубиной залегания квантовой ямы и приблизительно одинаковой концентрацией двумерных электронов. На основании данных спектроскопии фотоотражения относительно напряженности встроенного электрического поля в образцах проведен расчет зонной структуры для области квантовой ямы. Обнаружено, что максимальная подвижность двумерных электронов $\mu_e$ достигается в образце с толщиной барьерного слоя $L_b$ = 11 нм. Из спектров фотолюминесценции и расчетов зонной структуры образцов установлено, что при приближении квантовой ямы к поверхности происходит пространственное уширение профиля легирования из-за процессов диффузии и сегрегации. Объяснена немонотонность зависимости $\mu_e$ от глубины залегания квантовой ямы.

Поступила в редакцию: 11.12.2012
Принята в печать: 14.12.2012